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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBCV27
Code Commande58K8749
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max30V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Power Dissipation Pd350mW
Continuous Collector Current1.2A
Transition Frequency220MHz
Power Dissipation350mW
DC Collector Current1.2A
RF Transistor CaseSOT-23
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleSOT-23
DC Current Gain hFE4000hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min20000hFE
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour BCV27
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The BCV27 is a NPN Darlington Transistor designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1A.
- Sourced from Process 05
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Continuous Collector Current
1.2A
Power Dissipation
350mW
RF Transistor Case
SOT-23
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
20000hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
30V
Power Dissipation Pd
350mW
Transition Frequency
220MHz
DC Collector Current
1.2A
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE
4000hFE
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (4)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits