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BD139G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Through Hole
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|---|---|
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBD139G
Code Commande45J0613
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Continuous Collector Current1.5A
Power Dissipation1.25W
Power Dissipation Pd1.25W
DC Collector Current1.5A
Transistor Case StyleTO-225AA
Transistor MountingThrough Hole
DC Current Gain hFE40hFE
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The BD139G is an NPN Plastic Medium-Power Silicon Transistor designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
- High DC current gain
- Halogen-free
Applications
Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Power Dissipation
1.25W
DC Collector Current
1.5A
Transistor Mounting
Through Hole
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
80V
Continuous Collector Current
1.5A
Power Dissipation Pd
1.25W
Transistor Case Style
TO-225AA
DC Current Gain hFE
40hFE
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits