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BD682G
Darlington Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pins
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 0,893 $ |
| 2500+ | 0,762 $ |
| 10000+ | 0,747 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1000
Multiple: 500
893,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBD682G
Code Commande45J0617
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Collector Emitter Voltage Max100V
Power Dissipation Pd40W
Continuous Collector Current4A
Transition Frequency-
DC Collector Current4A
Power Dissipation40W
RF Transistor CaseTO-225
No. of Pins3Pins
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-225AA
DC Current Gain hFE750hFE
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min750hFE
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BD682G is a PNP medium-power Darlington Transistor can be used as output device in complementary general-purpose amplifier applications.
- Monolithic construction
- Complementary with BD681
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
100V
Continuous Collector Current
4A
DC Collector Current
4A
RF Transistor Case
TO-225
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE
750hFE
DC Current Gain hFE Min
750hFE
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Power Dissipation Pd
40W
Transition Frequency
-
Power Dissipation
40W
No. of Pins
3Pins
Transistor Case Style
TO-225AA
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
-
Documents techniques (4)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit