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BSP52T1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
3 469 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,765 $ |
| 10+ | 0,479 $ |
| 25+ | 0,442 $ |
| 50+ | 0,405 $ |
| 100+ | 0,369 $ |
| 250+ | 0,327 $ |
| 500+ | 0,285 $ |
| 1000+ | 0,214 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,82 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBSP52T1G
Code Commande04X5965
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation Pd1.25W
DC Collector Current1A
Power Dissipation800mW
Transistor Case StyleSOT-223
RF Transistor CaseSOT-223
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingSurface Mount
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 2 - 1 year
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Power Dissipation Pd
1.25W
Power Dissipation
800mW
RF Transistor Case
SOT-223
DC Current Gain hFE
1000hFE
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 2 - 1 year
Collector Emitter Voltage Max
80V
Continuous Collector Current
1A
DC Collector Current
1A
Transistor Case Style
SOT-223
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits