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BSR58
JFET Transistor, JFET, JFET, 40 V, 8 mA, 80 mA, 4 V, SOT-23 RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBSR58
Code Commande
Bobine complète29X6661
Mise en bobine58M4066
Bandes découpées58M4066
Votre numéro de pièce
Fiche technique
2 850 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,652 $ |
| 10+ | 0,419 $ |
| 25+ | 0,373 $ |
| 50+ | 0,327 $ |
| 100+ | 0,281 $ |
| 250+ | 0,251 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,180 $ |
| 6000+ | 0,162 $ |
| 12000+ | 0,149 $ |
| 18000+ | 0,141 $ |
| 30000+ | 0,131 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBSR58
Code Commande
Bobine complète29X6661
Mise en bobine58M4066
Bandes découpées58M4066
Fiche technique
Breakdown Voltage Vbr40V
Gate Source Breakdown Voltage Max40V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min8mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max80mA
Gate Source Cutoff Voltage Max4V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor TypeJFET
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Breakdown Voltage Vbr
40V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
8mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
4V
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Gate Source Breakdown Voltage Max
40V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
80mA
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Type
JFET
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits