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BSS84
Power MOSFET, P Channel, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBSS84
Code Commande
Bobine complète67R2010
Bandes découpées58K8770
Votre numéro de pièce
Fiche technique
3 En Stock
6 000 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Options de conditionnement
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,444 $ |
| 25+ | 0,256 $ |
| 50+ | 0,217 $ |
| 100+ | 0,176 $ |
| 250+ | 0,156 $ |
| 500+ | 0,138 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,110 $ |
| 6000+ | 0,091 $ |
| 12000+ | 0,078 $ |
| 18000+ | 0,073 $ |
| 30000+ | 0,064 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBSS84
Code Commande
Bobine complète67R2010
Bandes découpées58K8770
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id130mA
Drain Source On State Resistance10ohm
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd360mW
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSS84 is P channel logic level enhancement mode field effect transistor in SOT-23 package. This product is designed to minimize on state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance thus BSS84 are suited for low voltage, low current and switching applications.
- Voltage controlled P channel small signal switch
- High density cell design for low Rds(on)
- High saturation current capability
- Drain to source voltage (Vds) of -50V
- Gate source voltage of ±20V
- Low on state resistance of 3.5ohm at Vgs of 10V
- Continuous drain current of -130mA
- Maximum power dissipation of 360mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
10ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
5V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
130mA
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Power Dissipation Pd
360mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits