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BSS84LT1G
Power MOSFET, P Channel, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBSS84LT1G
Code Commande98H0511
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id130mA
Drain Source Voltage Vds50V
Drain Source On State Resistance10ohm
On Resistance Rds(on)10ohm
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation225mW
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins3Pins
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
Aperçu du produit
The BSS84LT1G is a P-channel Power MOSFET qualified to AEC Q101 and PPAP capable. It is suitable for DC-DC converters and load switching applications.
Applications
Communications & Networking, Power Management, Computers & Computer Peripherals
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
130mA
Drain Source On State Resistance
10ohm
Rds(on) Test Voltage
5V
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
On Resistance Rds(on)
10ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
225mW
Power Dissipation
225mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (14-Jun-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits