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BUV22G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 250 V, 40 A, 250 W, TO-3, Through Hole
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 11 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 100+ | 20,650 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 100
Multiple: 100
2 065,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBUV22G
Code Commande26K3553
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo250V
Collector Emitter Voltage Max250V
Continuous Collector Current40A
Power Dissipation Pd250W
Power Dissipation250W
DC Collector Current40A
DC Current Gain hFE8hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transistor Case StyleTO-3
Transition Frequency8MHz
DC Current Gain hFE Min8hFE
Operating Temperature Max200°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The BUV22G is an NPN Silicon Power Transistor designed for high-speed, high-current and high-power applications.
- High DC current gain
- Very fast switching times
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
250V
Power Dissipation Pd
250W
DC Collector Current
40A
Transistor Mounting
Through Hole
Transistor Case Style
TO-3
DC Current Gain hFE Min
8hFE
Qualification
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
250V
Continuous Collector Current
40A
Power Dissipation
250W
DC Current Gain hFE
8hFE
No. of Pins
2Pins
Transition Frequency
8MHz
Operating Temperature Max
200°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (1)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits