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Quantité | Prix |
---|---|
30000+ | 0,034 $ |
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Minimum: 30000
Multiple: 30000
1 020,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantDTC114EET1G
Code Commande85W3132
Fiche technique
Transistor PolaritySingle NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Base Emitter Resistor R210kohm
Transistor Case StyleSOT-416
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation300mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min35hFE
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The DTC114EET1G is a NPN Digital Transistor with monolithic bias resistor network designed to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device.
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
Applications
Industrial, Automotive, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
10kohm
Transistor Case Style
SOT-416
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
10kohm
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
300mW
DC Current Gain hFE Min
35hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour DTC114EET1G
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Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit