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FCB070N65S3
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 44 A, 70 mohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCB070N65S3
Code Commande84Y5809
Gamme de produitSuperFET III
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Fiche technique
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| Quantité | Prix |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCB070N65S3
Code Commande84Y5809
Gamme de produitSuperFET III
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance70mohm
On Resistance Rds(on)0.062ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd312W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation312W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET III
Qualification-
SVHCLead
Produits de remplacement pour FCB070N65S3
1 produit trouvé
Aperçu du produit
- N-channel, SUPERFET® III power MOSFET
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
70mohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
312W
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
44A
On Resistance Rds(on)
0.062ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
312W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit