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FCMT360N65S3
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFET III ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCMT360N65S3
Code Commande39AH8824
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 59 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,180 $ |
| 10+ | 4,100 $ |
| 25+ | 3,870 $ |
| 50+ | 3,650 $ |
| 100+ | 3,420 $ |
| 250+ | 3,410 $ |
| 500+ | 3,400 $ |
| 1000+ | 3,140 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,18 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCMT360N65S3
Code Commande39AH8824
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.31ohm
On Resistance Rds(on)0.31ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd83W
Power Dissipation83W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.31ohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
83W
No. of Pins
4Pins
Product Range
SUPERFET III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on)
0.31ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits