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FCPF190N60E
Power MOSFET, N Channel, 20.6 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 2.5 V RoHS Compliant: Yes
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1 472 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,760 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCPF190N60E
Code Commande55W4067
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id20.6A
On Resistance Rds(on)0.16ohm
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd39W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation39W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.16ohm
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.6A
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
39W
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits