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FDC6301N..
MOSFET, NN CHANNEL, 25V, 0.22A, SSOT6
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6301N..
Code Commande
Bobine complète85AC1769
Mise en bobine47T5014
Bandes découpées47T5014
Votre numéro de pièce
695 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,859 $ | 4,30 $ |
| Total Prix | 4,30 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,859 $ |
| 10+ | 0,527 $ |
| 25+ | 0,465 $ |
| 50+ | 0,399 $ |
| 100+ | 0,337 $ |
| 250+ | 0,296 $ |
| 500+ | 0,255 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,217 $ |
| 6000+ | 0,189 $ |
| 12000+ | 0,170 $ |
| 18000+ | 0,155 $ |
| 30000+ | 0,142 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6301N..
Code Commande
Bobine complète85AC1769
Mise en bobine47T5014
Bandes découpées47T5014
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Continuous Drain Current Id220mA
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel5ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDC6301N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. It is very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this N-channel FET's can replace several digital transistors, with a variety of bias resistors.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- -0.5 to 8V Gate to source voltage
- 0.22A Continuous drain/output current
- 0.5A Pulsed drain/output current
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
220mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Drain Source On State Resistance N Channel
5ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDC6301N..
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits