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FDC6303N
MOSFET, N-CH, 25 V, 6.8A, SUPERSOT
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,946 $ |
| 10+ | 0,568 $ |
| 25+ | 0,509 $ |
| 50+ | 0,452 $ |
| 100+ | 0,394 $ |
| 250+ | 0,352 $ |
| 500+ | 0,310 $ |
| 1000+ | 0,273 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6303N
Code Commande58M6619
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Continuous Drain Current Id680mA
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id N Channel680mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel450mohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour FDC6303N
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The FDC6303N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- Replace multiple NPN digital transistors (IMHxA series) with one DMOS FET
- 8V Gate-source voltage
- 0.68A Continuous drain/output current
- 2A Pulsed drain/output current
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
680mA
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
680mA
Drain Source On State Resistance N Channel
450mohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit