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FDC6321C
MOSFET Transistor, N and P Channel, 680 mA, 25 V, 450 mohm, 4.5 V, 800 mV RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
9 830 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,240 $ |
| 10+ | 0,762 $ |
| 25+ | 0,676 $ |
| 50+ | 0,591 $ |
| 100+ | 0,505 $ |
| 250+ | 0,445 $ |
| 500+ | 0,385 $ |
| 1000+ | 0,345 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
6,20 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6321C
Code Commande25M9441
Fiche technique
Channel TypeN and P Channel
Continuous Drain Current Id460mA
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel680mA
Continuous Drain Current Id P Channel460mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.45ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.1ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel900mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
460mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
900mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
460mA
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
680mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.45ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits