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FDC6401N
MOSFET, DUAL N CH, 20V, 3A, SUPERSOT
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6401NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète04X6243
Mise en bobine58M6621RL
Bandes découpées58M6621
Votre numéro de pièce
1 968 En Stock
1 968 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 5 | 0,395 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 1,98 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,560 $ |
| 50+ | 0,971 $ |
| 100+ | 0,635 $ |
| 250+ | 0,562 $ |
| 500+ | 0,490 $ |
| 1000+ | 0,443 $ |
| 2500+ | 0,435 $ |
| 5000+ | 0,426 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,395 $ |
| 6000+ | 0,366 $ |
| 12000+ | 0,342 $ |
| 18000+ | 0,319 $ |
| 30000+ | 0,305 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6401NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète04X6243
Mise en bobine58M6621RL
Bandes découpées58M6621
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id3A
Continuous Drain Current Id N Channel3A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.07ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
3A
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.07ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour FDC6401N
3 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit