Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 529 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 1,050 $ |
25+ | 0,815 $ |
50+ | 0,690 $ |
100+ | 0,590 $ |
250+ | 0,505 $ |
500+ | 0,440 $ |
1000+ | 0,372 $ |
2500+ | 0,324 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,05 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC655BN
Code Commande15R3422
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6.3A
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.6W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Transistor Case StyleSuperSOT
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour FDC655BN
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The FDC655BN is a logic level single N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimized ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Fast switching
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SuperSOT
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.3A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits