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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 7 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
3000+ | 1,000 $ |
6000+ | 0,986 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
3 000,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC8601
Code Commande92R5520
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id2.7A
Drain Source On State Resistance0.109ohm
On Resistance Rds(on)0.086ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.6W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FDC8601 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It is suitable for use in load switch, synchronous rectifier and primary switch applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- Fast switching speed
- 100% UIL tested
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.109ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.7A
On Resistance Rds(on)
0.086ohm
Power Dissipation Pd
1.6W
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour FDC8601
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit