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FDD1600N10ALZ
MOSFET, N-CH, 100V, 6.8A, TO-252-3
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD1600N10ALZ
Code Commande
Mise en bobine46AC0764
Bandes découpées46AC0764
Gamme de produitPowerTrench
Votre numéro de pièce
Fiche technique
850 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,200 $ |
| 10+ | 1,510 $ |
| 25+ | 1,370 $ |
| 50+ | 1,250 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD1600N10ALZ
Code Commande
Mise en bobine46AC0764
Bandes découpées46AC0764
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.8A
On Resistance Rds(on)0.124ohm
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd14.9W
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation14.9W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.124ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.8A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
14.9W
Power Dissipation
14.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDD1600N10ALZ
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
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