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FDD18N20LZ
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 16 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD18N20LZ
Code Commande46AC0765
Gamme de produitUniFET Series
Fiche technique
210 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,130 $ |
| 10+ | 2,550 $ |
| 25+ | 2,340 $ |
| 50+ | 2,130 $ |
| 100+ | 1,920 $ |
| 250+ | 1,820 $ |
| 500+ | 1,730 $ |
| 1000+ | 1,730 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,13 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD18N20LZ
Code Commande46AC0765
Gamme de produitUniFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id16A
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd89W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation89W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET Series
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour FDD18N20LZ
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
89W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit