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FDD3672
MOSFET, N, SMD, TO-252
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD3672Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine61M6217RL
Bandes découpées61M6217
Votre numéro de pièce
2 215 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 3,950 $ | 19,75 $ |
| Total Prix | 19,75 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 3,950 $ |
| 10+ | 2,620 $ |
| 15+ | 2,450 $ |
| 25+ | 2,300 $ |
| 50+ | 2,130 $ |
| 125+ | 1,960 $ |
| 250+ | 1,920 $ |
| 500+ | 1,880 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD3672Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine61M6217RL
Bandes découpées61M6217
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation135mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
44A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
135mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit