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2 214 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 2,660 $ |
10+ | 2,080 $ |
25+ | 1,950 $ |
50+ | 1,820 $ |
100+ | 1,700 $ |
250+ | 1,620 $ |
500+ | 1,530 $ |
1000+ | 1,510 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,66 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD86102
Code Commande88T3247
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd62W
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation62W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FDD86102 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- Very low Qg and Qgd compared to competing Trench technologies
- Fast switching speed
- 100% UIL tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
62W
Power Dissipation
62W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour FDD86102
2 produit(s) trouvé(s)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits