Imprimer la page
FDD86102LZ
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 35A, TO-252
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD86102LZ
Code Commande
Mise en bobine88T3248
Bandes découpées88T3248
Votre numéro de pièce
Fiche technique
820 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,420 $ |
| 10+ | 2,330 $ |
| 25+ | 2,120 $ |
| 50+ | 1,890 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD86102LZ
Code Commande
Mise en bobine88T3248
Bandes découpées88T3248
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.0225ohm
On Resistance Rds(on)0.0178ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd54W
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation54W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour FDD86102LZ
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The FDD86102LZ is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and switching loss. The G-S Zener has been added to enhance ESD voltage level.
- Very low Qg and Qgd compared to competing Trench technologies
- Fast switching speed
- 100% UIL tested
- 6kV typical HBM ESD protection level
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
42A
On Resistance Rds(on)
0.0178ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
54W
Power Dissipation
54W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0225ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit