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FDG6301N
Dual MOSFET, Dual N Channel, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 791 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,030 $ |
| 10+ | 0,670 $ |
| 25+ | 0,602 $ |
| 50+ | 0,533 $ |
| 100+ | 0,465 $ |
| 250+ | 0,419 $ |
| 500+ | 0,373 $ |
| 1000+ | 0,344 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
5,15 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDG6301N
Code Commande61M6246
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id220mA
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel300mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
220mA
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Drain Source On State Resistance N Channel
4ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDG6301N
2 produit(s) trouvé(s)
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits