Imprimer la page
FDG6301N
Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 220 mA, 4 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDG6301N
Code Commande
Bobine complète67R2047
Bandes découpées58K8834
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 12 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 250+ | 0,402 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,280 $ |
| 6000+ | 0,270 $ |
| 12000+ | 0,260 $ |
| 18000+ | 0,251 $ |
| 30000+ | 0,238 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDG6301N
Code Commande
Bobine complète67R2047
Bandes découpées58K8834
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Continuous Drain Current Id220mA
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel300mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Aperçu du produit
The FDG6301N is a dual N-channel logic level enhancement-mode Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signals MOSFETs.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <lt/>1.5V)
- Gate-source Zener for ESD ruggedness (<gt/>6kV human body model)
- Compact industry standard surface-mount-package
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
220mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Drain Source On State Resistance N Channel
4ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour FDG6301N
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (10-Jun-2022)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit