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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC8327L
Code Commande
Mise en bobine55W4081
Bandes découpées55W4081
Votre numéro de pièce
Fiche technique
83 En Stock
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Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,630 $ |
| 25+ | 1,140 $ |
| 50+ | 0,973 $ |
| 100+ | 0,811 $ |
| 250+ | 0,722 $ |
| 500+ | 0,633 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC8327L
Code Commande
Mise en bobine55W4081
Bandes découpées55W4081
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id14A
On Resistance Rds(on)0.0074ohm
Drain Source On State Resistance0.0097ohm
Transistor Case StylePower 33
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd30W
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation30W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour FDMC8327L
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The FDMC8327L is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
- 100% UIL test
- Low-profile
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0074ohm
Transistor Case Style
Power 33
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Drain Source On State Resistance
0.0097ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
30W
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit