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FDMC86160ET100
Power MOSFET, Shielded Gate, N Channel, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC86160ET100
Code Commande07AH3916
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
270 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,940 $ |
| 10+ | 2,780 $ |
| 25+ | 2,550 $ |
| 50+ | 2,300 $ |
| 100+ | 2,060 $ |
| 250+ | 1,950 $ |
| 500+ | 1,820 $ |
| 1000+ | 1,690 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,94 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC86160ET100
Code Commande07AH3916
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id43A
On Resistance Rds(on)0.0112ohm
Drain Source On State Resistance0.0112ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation Pd65W
Power Dissipation65W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
Produits de remplacement pour FDMC86160ET100
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0112ohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
65W
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
43A
Drain Source On State Resistance
0.0112ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Power Dissipation
65W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit