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FDMS8460
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 167 A, 0.0022 ohm, Power 56, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
4 949 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,980 $ |
| 10+ | 3,030 $ |
| 25+ | 2,840 $ |
| 50+ | 2,660 $ |
| 100+ | 2,460 $ |
| 250+ | 2,390 $ |
| 500+ | 2,160 $ |
| 1000+ | 2,130 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
19,90 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMS8460
Code Commande55T6325
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id167A
Drain Source On State Resistance0.0022ohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead
Aperçu du produit
The FDMS8460 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
- Advanced package and silicon combination for low RDS (ON)
- MSL1 Robust package design
- 100% UIL tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
167A
Transistor Case Style
Power 56
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits