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FDMS86200
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 49 A, 0.018 ohm, Power 56, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,120 $ |
| 10+ | 2,980 $ |
| 100+ | 1,700 $ |
| 500+ | 1,660 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMS86200
Code Commande88T3341
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id49A
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
49A
Transistor Case Style
Power 56
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit