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FDMS86255
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMS86255
Code Commande46AC0799
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
14 874 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,980 $ |
| 10+ | 4,010 $ |
| 25+ | 3,760 $ |
| 50+ | 3,510 $ |
| 100+ | 3,260 $ |
| 250+ | 3,200 $ |
| 500+ | 3,150 $ |
| 1000+ | 3,080 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,98 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMS86255
Code Commande46AC0799
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source On State Resistance0.0124ohm
On Resistance Rds(on)0.0095ohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd113W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation113W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
FDMS86255 is a N-channel, shielded gate, POWERTRENCH MOSFET. This N-channel MOSFET is produced using onsemi advanced POWERTRENCH process that incorporates shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintains superior switching performance. Typical applications are OringFET / load switching, synchronous rectification, DC-DC conversion.
- Advanced package and silicon combination for low RDS(on) and high efficiency
- Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
- 100% UIL tested
- Drain to source voltage is 150V at TA = 25°C
- Gate to source voltage is ±20V at TA = 25°C
- Drain current is 62A at continuous, TC = 25°C
- Single pulse avalanche energy is 541mJ at TA = 25°C
- Power dissipation is 113W at TC = 25°C
- PQFN8 package
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0124ohm
Transistor Case Style
Power 56
Power Dissipation Pd
113W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
On Resistance Rds(on)
0.0095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
113W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDMS86255
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits