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FDN306P
MOSFET Transistor, P Channel, -2.6 A, -12 V, 40 mohm, -4.5 V, -600 mV RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
47 807 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,723 $ |
| 10+ | 0,481 $ |
| 25+ | 0,435 $ |
| 50+ | 0,390 $ |
| 100+ | 0,344 $ |
| 250+ | 0,310 $ |
| 500+ | 0,277 $ |
| 1000+ | 0,237 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,61 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN306P
Code Commande61M6278
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
On Resistance Rds(on)0.04ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd500mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
On Resistance Rds(on)
0.04ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits