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FDN352AP
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN352AP
Code Commande
Bobine complète67R2062
Mise en bobine58M6632
Bandes découpées58M6632
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Fiche technique
70 787 En Stock
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Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,932 $ |
| 10+ | 0,562 $ |
| 25+ | 0,504 $ |
| 50+ | 0,444 $ |
| 100+ | 0,385 $ |
| 250+ | 0,345 $ |
| 500+ | 0,305 $ |
| 1000+ | 0,277 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,195 $ |
| 6000+ | 0,191 $ |
| 12000+ | 0,184 $ |
| 18000+ | 0,182 $ |
| 30000+ | 0,181 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN352AP
Code Commande
Bobine complète67R2062
Mise en bobine58M6632
Bandes découpées58M6632
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.3A
On Resistance Rds(on)0.18ohm
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd500mW
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.18ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.3A
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
500mW
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
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