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FDP20N50F

Name: ONSEMI FDP20N50F
Brand: ONSEMI
SKU: 95W3174
Availability: LimitedAvailability

Power MOSFET, N Channel, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-220, Through Hole

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FabricantONSEMI

Réf. FabricantFDP20N50F

Code Commande95W3174

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Informations produit

FabricantONSEMI

Réf. FabricantFDP20N50F

Code Commande95W3174

Fiche technique

Data Sheet

Transistor PolarityN Channel

Channel TypeN Channel

Drain Source Voltage Vds500V

Continuous Drain Current Id20A

On Resistance Rds(on)0.22ohm

Drain Source On State Resistance0.22ohm

Transistor Case StyleTO-220

Transistor MountingThrough Hole

Rds(on) Test Voltage10V

Power Dissipation Pd250W

Gate Source Threshold Voltage Max3V

Power Dissipation250W

No. of Pins3Pins

Operating Temperature Max150°C

Product Range-

Qualification-

MSL-

SVHCTo Be Advised

Produits de remplacement pour FDP20N50F

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Aperçu du produit

The FDP20N50F is an UniFET™ N-channel high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. The body diode's reverse recovery performance of UniFET FRFET® MOSFET has been enhanced by lifetime control. Its trr is less than 100nsec and the reverse dV/dt immunity is 15V/ns while normal planar MOSFETs have over 200nsec and 4.5V/nsec respectively. Therefore, it can remove additional component and improve system reliability in certain applications in which the performance of MOSFET's body diode is significant. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Improve dV/dt capability
100% avalanche tested
50nC typical low gate charge
27pF typical low Crss

Spécifications techniques

Transistor Polarity

N Channel

Drain Source Voltage Vds

500V

On Resistance Rds(on)

0.22ohm

Transistor Case Style

TO-220

Rds(on) Test Voltage

10V

Gate Source Threshold Voltage Max

No. of Pins

3Pins

Product Range

MSL

Channel Type

N Channel

Continuous Drain Current Id

20A

Drain Source On State Resistance

0.22ohm

Transistor Mounting

Through Hole

Power Dissipation Pd

250W

Power Dissipation

250W

Operating Temperature Max

150°C

Qualification

SVHC

To Be Advised

Documents techniques (2)

Technical Data Sheet EN

Product Change Notice EN

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Législation et Questions environnementales

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conforme RoHS :Y-Ex

RoHS

Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui