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FDP2614
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-220, Through Hole
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 3,400 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 800
Multiple: 800
2 720,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDP2614
Code Commande08N9301
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id62A
Drain Source On State Resistance0.0229ohm
On Resistance Rds(on)0.0229ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd260W
Transistor Case StyleTO-220
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation260W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.0229ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
260W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
62A
On Resistance Rds(on)
0.0229ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation
260W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit