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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,290 $ |
| 10+ | 3,030 $ |
| 25+ | 2,770 $ |
| 50+ | 2,520 $ |
| 100+ | 2,260 $ |
| 250+ | 2,100 $ |
| 500+ | 1,940 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS2734
Code Commande31Y1389
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id3A
On Resistance Rds(on)0.097ohm
Drain Source On State Resistance0.117ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2.5W
Power Dissipation Pd2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.097ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Drain Source On State Resistance
0.117ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit