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FDS3992
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS3992Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant47 semaines
Code Commande
Bobine complète29X6695
Bandes découpées28H9712
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 13 semaine(s)
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 2500 | 1,360 $ | 3 400,00 $ |
| Total Prix | 3 400,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,360 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,200 $ |
| 7500+ | 1,160 $ |
| 12500+ | 1,130 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS3992Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant47 semaines
Code Commande
Bobine complète29X6695
Bandes découpées28H9712
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.054ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Aperçu du produit
The FDS3992 is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET designed for applications like DC-to-DC converters and off-line UPS, distributed power architectures and VRMs, primary switch for 24V and 48V systems, high voltage synchronous rectifier, direct injection/diesel injection systems and electronic valve train systems.
- Low miller charge
- Low QRR body diode
- Optimized efficiency at high frequencies
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Qualification
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.054ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (10-Jun-2022)
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Certificat de conformité du produit