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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS4675
Code Commande
Mise en bobine61M6306
Bandes découpées61M6306
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Fiche technique
3 629 En Stock
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Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,420 $ |
| 10+ | 1,660 $ |
| 25+ | 1,510 $ |
| 50+ | 1,340 $ |
| 100+ | 1,180 $ |
| 250+ | 1,080 $ |
| 500+ | 0,975 $ |
| 1000+ | 0,909 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS4675
Code Commande
Mise en bobine61M6306
Bandes découpées61M6306
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.013ohm
On Resistance Rds(on)0.013ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.4W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation2.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.013ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
2.4W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
11A
On Resistance Rds(on)
0.013ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.4W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDS4675
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit