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FDS4935A
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 7 A
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,941 $ |
| 3000+ | 0,912 $ |
| 6000+ | 0,850 $ |
| 12000+ | 0,787 $ |
| 18000+ | 0,766 $ |
| 30000+ | 0,754 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
2 352,50 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS4935A
Code Commande67R2070
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel7A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
Aperçu du produit
The FDS4935A is a dual P-channel PowerTrench® MOSFET rugged gate version of advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5V to 20V). It is suitable for load-switch and battery protection applications.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate to source voltage
- -7A Continuous drain current
- -30A Pulsed drain current
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDS4935A
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (14-Jun-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit