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FDS6675BZ
MOSFET Transistor, P Channel, 11 A, -30 V, 0.0108 ohm, -10 V, -2 V RoHS Compliant: Yes
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS6675BZ
Code Commande
Bobine complète86K1386
Mise en bobine61M6314
Bandes découpées61M6314
Votre numéro de pièce
Fiche technique
14 813 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,440 $ |
| 10+ | 1,080 $ |
| 25+ | 0,969 $ |
| 50+ | 0,866 $ |
| 100+ | 0,762 $ |
| 250+ | 0,686 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,654 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS6675BZ
Code Commande
Bobine complète86K1386
Mise en bobine61M6314
Bandes découpées61M6314
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id11A
On Resistance Rds(on)0.0108ohm
Drain Source On State Resistance0.013ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0108ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Drain Source On State Resistance
0.013ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDS6675BZ
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits