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FDS6681Z
MOSFET Transistor, P Channel, -20 A, -30
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS6681ZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète87X5250
Mise en bobine55R1448RL
Bandes découpées55R1448
Votre numéro de pièce
24 En Stock
24 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 5 | 2,100 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 10,50 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 4,820 $ |
| 10+ | 3,290 $ |
| 15+ | 3,080 $ |
| 25+ | 2,870 $ |
| 50+ | 2,650 $ |
| 125+ | 2,440 $ |
| 250+ | 2,250 $ |
| 500+ | 2,070 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 2,100 $ |
| 3000+ | 2,010 $ |
| 6000+ | 1,940 $ |
| 12000+ | 1,780 $ |
| 18000+ | 1,740 $ |
| 30000+ | 1,690 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS6681ZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète87X5250
Mise en bobine55R1448RL
Bandes découpées55R1448
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance4600µohm
On Resistance Rds(on)0.0046ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
4600µohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.0046ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit