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FDS6898A.
MOSFET, DUAL, N, SMD, SO-8
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS6898A.Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine61M6319RL
Bandes découpées61M6319
Votre numéro de pièce
857 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,920 $ | 2,92 $ |
| Total Prix | 2,92 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,920 $ |
| 10+ | 1,960 $ |
| 25+ | 1,770 $ |
| 50+ | 1,570 $ |
| 100+ | 1,380 $ |
| 250+ | 1,260 $ |
| 500+ | 1,140 $ |
| 1000+ | 1,060 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS6898A.Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine61M6319RL
Bandes découpées61M6319
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id9.4A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel9.4A
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.014ohm
Transistor MountingSurface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd2W
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
RoHS Phthalates CompliantYes
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.4A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
9.4A
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Drain Source On State Resistance N Channel
0.014ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2W
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
RoHS Phthalates Compliant
Yes
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour FDS6898A.
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit