Imprimer la page
FDS6975
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 6 A
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 9 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,987 $ |
| 3000+ | 0,948 $ |
| 6000+ | 0,865 $ |
| 12000+ | 0,783 $ |
| 18000+ | 0,755 $ |
| 30000+ | 0,738 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
2 467,50 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS6975
Code Commande71P5229
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.025ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Aperçu du produit
The FDS6975 is a dual P-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for notebook computer applications load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Applications
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.025ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour FDS6975
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit