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2 006 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,380 $ |
| 10+ | 2,140 $ |
| 25+ | 2,060 $ |
| 50+ | 1,990 $ |
| 100+ | 1,910 $ |
| 250+ | 1,760 $ |
| 500+ | 1,600 $ |
| 1000+ | 1,450 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,38 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS86141
Code Commande88T3361
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FDS86141 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench™ process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
- Low-profile
- 100% UIL tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7A
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
5W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour FDS86141
1 produit trouvé
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits