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FDS86267P
Power MOSFET, P Channel, 150 V, 2.2 A, 0.191 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS86267P
Code Commande46AC0811
Gamme de produitPowerTrench Series
Fiche technique
5 016 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,420 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
12,10 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS86267P
Code Commande46AC0811
Gamme de produitPowerTrench Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id2.2A
On Resistance Rds(on)0.191ohm
Drain Source On State Resistance0.191ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.191ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Drain Source On State Resistance
0.191ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDS86267P
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits