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FDS8884
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 8.5 A, 23 mohm, SOIC, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,317 $ |
| 5000+ | 0,316 $ |
| 10000+ | 0,312 $ |
| 15000+ | 0,302 $ |
| 25000+ | 0,301 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
792,50 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS8884
Code Commande86K1396
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8.5A
Drain Source On State Resistance23mohm
On Resistance Rds(on)0.023ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
23mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.5A
On Resistance Rds(on)
0.023ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit