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FDS8949
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,615 $ |
| 10+ | 0,615 $ |
| 25+ | 0,615 $ |
| 50+ | 0,615 $ |
| 100+ | 0,614 $ |
| 250+ | 0,614 $ |
| 500+ | 0,563 $ |
| 1000+ | 0,563 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS8949
Code Commande76M7885
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.029ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour FDS8949
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The FDS8949 is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Applications
Industrial, Power Management
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.029ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits