Imprimer la page
FDT3612
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 13 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,548 $ |
| 6000+ | 0,515 $ |
| 12000+ | 0,490 $ |
| 18000+ | 0,463 $ |
| 30000+ | 0,448 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 4000
Multiple: 4000
2 192,00 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDT3612
Code Commande67P3499
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id3.7A
On Resistance Rds(on)0.12ohm
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-223
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The FDT3612 is a N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It features faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- 14nC Typical low gate charge
Applications
Power Management, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.7A
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Power Dissipation Pd
3W
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDT3612
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit