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FDT86102LZ
MOSFET, N-CH, 100V, 6.6A, 150DEG C, 2.2W
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDT86102LZ
Code Commande
Bobine complète86AK4982
Mise en bobine88T3368
Bandes découpées88T3368
Gamme de produitPowerTrench
Votre numéro de pièce
3 485 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,990 $ | 9,95 $ |
| Total Prix | 9,95 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,990 $ |
| 25+ | 1,260 $ |
| 50+ | 1,050 $ |
| 100+ | 0,832 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,787 $ |
| 8000+ | 0,732 $ |
| 16000+ | 0,677 $ |
| 24000+ | 0,659 $ |
| 40000+ | 0,647 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDT86102LZ
Code Commande
Bobine complète86AK4982
Mise en bobine88T3368
Bandes découpées88T3368
Gamme de produitPowerTrench
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id6.6A
On Resistance Rds(on)0.022ohm
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.2W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation2.2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
This N Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advance PowerTrench® process that has been especially tailored to minimise the on state resistance and switch loss. G-S Zener has been added to enhance ESD voltage levels.
- Suitable for DC/DC conversion, inverter and synchronous rectifier
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.022ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation Pd
2.2W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.6A
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDT86102LZ
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits