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FDV304P
MOSFET Transistor, P Channel, -460 mA, -
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDV304PCopie
Code Commande
Mise en bobine25M9472
Bandes découpées25M9472
Votre numéro de pièce
126 247 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,869 $ | 4,34 $ |
| Total Prix | 4,34 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,869 $ |
| 10+ | 0,676 $ |
| 25+ | 0,473 $ |
| 50+ | 0,399 $ |
| 100+ | 0,341 $ |
| 250+ | 0,280 $ |
| 500+ | 0,241 $ |
| 1000+ | 0,206 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDV304PCopie
Code Commande
Mise en bobine25M9472
Bandes découpées25M9472
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id460mA
On Resistance Rds(on)1.22ohm
Drain Source On State Resistance1.1ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd350mW
Rds(on) Test Voltage2.7V
Gate Source Threshold Voltage Max860mV
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
On Resistance Rds(on)
1.22ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
350mW
Gate Source Threshold Voltage Max
860mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
460mA
Drain Source On State Resistance
1.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
2.7V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit