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FFSM1065B
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC Series, Single, 650 V, 10 A, 25 nC, PQFN
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSM1065B
Code Commande12AJ7139
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 18 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,070 $ |
| 10+ | 3,120 $ |
| 25+ | 3,010 $ |
| 50+ | 2,890 $ |
| 100+ | 2,780 $ |
| 250+ | 2,590 $ |
| 500+ | 2,410 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
20,35 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSM1065B
Code Commande12AJ7139
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current10A
Total Capacitive Charge25nC
Diode Case StylePQFN
No. of Pins4 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
25nC
No. of Pins
4 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
To Be Advised
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
10A
Diode Case Style
PQFN
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits